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机译:通过衬底偏角控制改善垂直GaN-on-GaN电源开关器件的晶圆级施主均匀性
Engineering Department, Sciocs Company Ltd., Hitachi, Japan;
Engineering Department, Sciocs Company Ltd., Hitachi, Japan;
Engineering Department, Sciocs Company Ltd., Hitachi, Japan;
Engineering Department, Sciocs Company Ltd., Hitachi, Japan;
Research Center for Micro-Nano Technology, Hosei University, Tokyo, Japan;
Research Center for Micro-Nano Technology, Hosei University, Tokyo, Japan;
Research Center for Micro-Nano Technology, Hosei University, Tokyo, Japan;
Substrates; Gallium nitride; Epitaxial layers; Inspection; Schottky diodes; Semiconductor device measurement;
机译:用于垂直P-N功率器件的生长和再生GaN-On-GaN结构的特征
机译:使用非均匀垂直电场和聚合物网络进行性能增强,以实现多倾斜垂直排列液晶设备的面内切换
机译:通过更换顶部电极材料的三层CEO2 / TI / CEO2电阻开关装置的耐力和循环到循环均匀性改善
机译:利用具有低密度和均匀分布脱位的VAS-方法生长GaN基板对RF和电力开关装置的外延晶片晶体质量改善的影响
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:通过更改顶部电极材料来改善三层CeO2 / Ti / CeO2电阻开关器件的耐久性和周期间一致性
机译:通过更换顶部电极材料的三层CEO2 / TI / CEO2电阻开关装置的耐力和循环到循环均匀性改善
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。