一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片

摘要

本发明涉及半导体材料的加工技术领域，尤其涉及一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片。所述锑化镓晶片的单面抛光方法包括以下步骤：A)采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行单面粗抛；所述粗抛试剂包括硅溶胶抛光液、双氧水、柠檬酸钠、焦磷酸钠和水；B)将所述粗抛后的锑化镓晶片采用精抛试剂进行单面精抛，得到锑化镓抛光片；所述精抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂和水。本发明提供的锑化镓晶片的单面抛光方法包括两步抛光：单面粗抛和单面精抛。通过采用特定的粗抛试剂和精抛试剂进行单面粗抛和单面精抛，最终制备的锑化镓抛光片的抛光面平整度较高，粗糙度较低。