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樊成才; 李忠义; 孔峰;
北京有色金属研究总院国家半导体工程材料研究中心;
非掺; 抛光液; 抛光温度; 抛光压力; 锑化镓;
机译:掺硅的砷化镓锑化锑电致发光二极管,发射至1.06μm
机译:镓与锑自扩散在锑化镓中的巨大差异
机译:亚砷酸锑缺陷在非化学计量砷化镓中的作用
机译:(100)锑化镓衬底外延就绪抛光表面的制备研究表明,MBE生长具有超低表面缺陷
机译:砷化镓锑苷/铟砷化镓和砷化镓锑/铟磷化镓锑/磷化铟异质结构的MOCVD生长和光学性质
机译:镓环境对掺Er3 +的镓锑锑硫玻璃中红外发射的影响
机译:硅衬底上生长的掺氘锑化镓镓的电学表征
机译:砷化镓,磷化铟,砷化铟和锑化镓中电子和空穴高能迁移的理论研究。
机译:砷化镓锑化镓(GaAsSb)/磷化铟(InP)异质结双极晶体管(HBT)具有降低的隧穿概率
机译:掺锑的氧化锡细颗粒分散体,制备方法以及掺锑的氧化锡分散的聚碳酸酯树脂模制品
机译:用于计算机断层摄影设备中的辐射探测器,用于探测例如X射线辐射,具有由砷化铟,磷酸铟,锑酸镓,氧化锌,氮化镓或碳化硅制成的中间层
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