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一种高产原位钝化中红外HgTe胶体量子点制备方法

摘要

一种高产原位钝化中红外HgTe胶体量子点制备方法。属于胶体量子点合成领域。其中,合成过程采用热注射法,含卤素元素的HgI2作为Hg源的反应物,在反应时I‑原位生长在胶体量子点表面,在钝化表面的同时,起到调节掺杂的目的,达到p型掺杂效果。并且使用TMSTe作为Te源,由于其具有很高的反应活性,与Hg前驱体发生充分反应,不会与Hg形成络合物限制HgTe的产率。

著录项

  • 公开/公告号CN113861985A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN202111365400.9

  • 发明设计人 严辉;刘泽慷;张永哲;王鹏;

    申请日2021-11-17

  • 分类号C09K11/89(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y20/00(20110101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张立改

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-06-19 13:30:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-30

    授权

    发明专利权授予

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