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用于集成电路结构的多高度多宽度互连线金属化部

摘要

公开了一种集成电路金属化线,其具有平坦顶表面但不同的垂直高度,例如,以控制集成电路互连的层内电阻/电容。可以在通孔金属化部上方的两个厚度的电介质材料之间插入硬掩模材料层。在沉积硬掩模材料层之后,可以穿过硬掩模层图案化沟槽开口,以限定线金属化部在哪里将具有更大高度。在硬掩模材料层上方沉积一定厚度的电介质材料之后,可以穿过最上方厚度的电介质材料蚀刻沟槽图案,在沟槽不和硬掩模材料层中的开口重合的任何地方暴露硬掩模材料层。在硬掩模材料层被暴露的地方,沟槽蚀刻可能被延迟,从而获得不同深度的沟槽。可以利用金属化部填充不同深度的沟槽,然后进行平面化。

著录项

  • 公开/公告号CN113851452A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN202011545573.4

  • 发明设计人 H·J·允;K·L·林;

    申请日2020-12-24

  • 分类号H01L23/522(20060101);H01L23/528(20060101);H01L23/538(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人林金朝

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2023-06-19 13:26:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/522 专利申请号:2020115455734 申请日:20201224

    实质审查的生效

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