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公开/公告号CN113699592A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 天津理工大学;
申请/专利号CN202010444116.X
发明设计人 胡章贵;邱海龙;齐小方;朱显超;吴以成;
申请日2020-05-22
分类号C30B29/22(20060101);C30B9/12(20060101);G06N3/08(20060101);
代理机构12214 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李薇;李蕊
地址 300384 天津市西青区宾水西道391号
入库时间 2023-06-19 13:24:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-07
授权
发明专利权授予
机译: 通过激光辅助加热和专用装置生长大尺寸晶体的方法
机译: 用激光辅助加热和专用设备生长大尺寸晶体的方法
机译: 在晶体生长过程中利用掺杂剂补偿利用重掺杂硅原料生产光伏应用基质的方法
机译:熔体中一种新颖的晶体生长技术:悬浮辅助自种晶体生长方法
机译:黑曲霉辅助酒石酸钙晶体生长:晶体生长的另一种方法
机译:利用晶体刺激光的生长一种新的通过激光刺激晶体生长的方法可以改善我们制造材料的方式
机译:宽带隙应用的散装ZnO晶体生长的一种新方法
机译:一种基于生长变换动力系统的神经晶体机器学习框架
机译:一种新的体外生长类似血红蛋白的晶体的方法及其在筛选抑制血疟素的抗疟化合物中的应用
机译:氨热晶体生长期间流体流动和温度场模拟的边界条件 - 一种高压釜温度分布的机器学习辅助研究
机译:大尺寸碘化钠晶体闪烁体的生长与制备