使用远程等离子体处理使碳化硅膜致密化

摘要

提供了使用远程等离子体处理使碳化硅膜致密化的方法和装置。远程等离子体沉积和远程等离子体处理碳化硅膜的操作交替发生以控制膜密度。沉积第一厚度的碳化硅膜，然后进行远程等离子体处理，并且然后沉积第二厚度的碳化硅膜，然后进行另一次远程等离子体处理。远程等离子体处理可以使处于实质上低能量状态的源气的自由基(例如处于基态的氢自由基)朝向沉积在衬底上的碳化硅膜流动。处于实质上低能态的源气的自由基促进碳化硅膜中的交联和膜致密化。