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一种厚膜片式电阻器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种厚膜片式电阻器及其制造方法,其中厚膜片式电阻器包括:氧化铝基片;正面小电极,设置在氧化铝基片的第一表面的两侧;背面电极,设置在氧化铝基片的第二表面的两侧;电阻体层,设置在氧化铝基片的第一表面上;一次保护层,设置在电阻体层上;正面大电极,设置在正面小电极上,且覆盖正面小电极;二次保护层,设置在一次保护层上;端电极层,设置在正面大电极和背面电极上;电镀镍层,设置在端电极层上;电镀锡层,设置在电镀镍层上。本发明通过引入正面大电极,对电阻表面进行包覆,避免点、线缺陷出现,阻止电阻体层与正面电极交界处银电极层出现硫化,提高厚膜片式电阻器的可靠性,可广泛应用于电子材料与元器件领域。

著录项

  • 公开/公告号CN113690003A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN202110782910.X

  • 发明设计人 凌志远;廖云鹏;

    申请日2021-07-12

  • 分类号H01C1/142(20060101);H01C7/00(20060101);H01C17/28(20060101);

  • 代理机构44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司;

  • 代理人郑宏谋

  • 地址 510641 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2023-06-19 13:21:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-25

    授权

    发明专利权授予

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