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公开/公告号CN113690003A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN202110782910.X
发明设计人 凌志远;廖云鹏;
申请日2021-07-12
分类号H01C1/142(20060101);H01C7/00(20060101);H01C17/28(20060101);
代理机构44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司;
代理人郑宏谋
地址 510641 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2023-06-19 13:21:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-25
授权
发明专利权授予
机译: 厚膜电阻器的材料,厚膜电阻器的浆糊,厚膜电阻器,厚膜电阻器装置,厚膜电阻器的制造方法和厚膜电阻器的制造方法
机译: 厚膜电阻器的组成,厚膜电阻器的糊剂,厚膜电阻器及其制造方法
机译: 厚膜电阻器,其制造方法,厚膜电阻器的玻璃组成和厚膜电阻器浆料
机译:供应用于嵌入式基板的产品,例如厚膜片式电阻器
机译:RuO_2厚膜片式电阻器的失效分析
机译:一种通过镀膜梁弯曲试验测量厚膜电阻器材料杨氏模量的新方法
机译:脉冲条件下厚膜片式电阻器的可靠运行
机译:用于高级电子制造应用的过程能力分析方法,可优化激光微调嵌入式电阻器的规格。
机译:装备有力敏电阻器(FSR)的正畸托槽原型剥离装置的验证和可靠性:一种测量体内正畸托槽剥离力的新方法
机译:用于低成本厚膜电路制造的空气烧制贱金属电阻器和导体系统
机译:动态原位回填性能试验分析。报告1.一种消除膜片式应力计记录的振荡和阻尼的方法