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公开/公告号CN113691319A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN202011515455.9
发明设计人 J·洪;
申请日2020-12-21
分类号H04B10/516(20130101);G02F1/017(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人刘瑜
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-06-19 13:21:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H04B10/516 专利申请号:2020115154559 申请日:20201221
实质审查的生效
机译: 混合硅上III-V调制器的光学架构
机译: 使用不同金属衬里的分别形成触点,在III-V族装置上具有III-V族装置的半导体结构的制造
机译: 使用不同的金属衬里的分别形成触点,在III-V族装置上具有III-V族装置的半导体结构的制造
机译:基于硅上III-V族谐振器的超紧凑型电光相位调制器
机译:基于III-V的材料在硅上的无氧化物键合以及用于先进光学功能的混合波导的纳米结构
机译:硅混合调制器上的慢光III-V
机译:离子辅助分子束外延在硅上III-V族半导体的成核和生长
机译:使用光流微泡操作将III-V半导体激光器混合集成在硅波导上
机译:具有阵列波导光栅多路复用器的硅电吸收调制器阵列上的5×20 Gb / s非均匀集成III-V
机译:IV族和III-V族半导体中离子注入物种的光学研究。