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OPTICAL ARCHITECTURE WITH HYBRID ON-SILICON III-V MODULATOR

机译:混合硅上III-V调制器的光学架构

摘要

Embodiments may relate to an electronic device that includes a modulator to modulate an in-phase portion of an input signal and a quadrature portion of the input signal. The modulator may include a III-V material on a silicon substrate. In some embodiments, the III-V material may include, for example, indium phosphide (InP). Other embodiments may be described or claimed.
机译:实施例可以涉及一种电子设备,该电子设备包括用于调制输入信号的同相部分和输入信号的正交部分的调制器。调制器可以在硅衬底上包括III-V族材料。在一些实施例中,III-V族材料可以包括例如磷化铟(InP)。可以描述或要求保护其他实施例。

著录项

  • 公开/公告号US2020278589A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-09-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;

    申请/专利号US202016877113

  • 发明设计人 JIN HONG;

    申请日2020-05-18

  • 分类号G02F1/225;H04B10/548;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:21:44

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