一种阈值电压稳定的p-GaN栅增强型HEMTs器件的制备方法

摘要

本发明提供的一种阈值电压稳定的p‑GaN栅增强型HEMTs器件的制备方法，在p型栅增强型HEMTs制造方法基础上进行改进，通过在p‑GaN帽层上外延一层SiN钝化层以引入氢元素对p‑GaN中的缺陷态进行钝化，得到具有较高阈值电压稳定性的p‑GaN栅增强型HEMTs，使得p‑GaN栅增强型GaNHEMTs在高压高频工作时其阈值电压不发生漂移。