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芯片键合应力的测量方法及芯片键合辅助结构

摘要

本发明公开一种芯片键合应力的测量方法及芯片键合辅助结构,其中该芯片键合应力的测量方法包括下述步骤:先在第一芯片的第一表面形成一个辅助图案。再将第二芯片的第二表面与第一表面键合,用于形成至少一个围绕辅助图案的间隙空间。接着,分别测量此至少一个间隙空间和辅助图案的多个空间尺寸;并根据此多个空间尺寸来估计第一芯片和第二芯片之间的键合应力。

著录项

  • 公开/公告号CN113658880A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN202010396124.1

  • 发明设计人 张晟;冯健奇;赵昕;

    申请日2020-05-12

  • 分类号H01L21/66(20060101);H01L23/544(20060101);G01N19/04(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陈小雯

  • 地址 中国台湾新竹市

  • 入库时间 2023-06-19 13:16:59

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