公开/公告号CN113658880A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-16
原文格式PDF
申请/专利权人 联华电子股份有限公司;
申请/专利号CN202010396124.1
申请日2020-05-12
分类号H01L21/66(20060101);H01L23/544(20060101);G01N19/04(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陈小雯
地址 中国台湾新竹市
入库时间 2023-06-19 13:16:59
机译: 应力敏感型芯片的芯片结构,特别是安装在布线载体上的传感器芯片的芯片结构,可为键合过程提供芯片的机械或声学耦合
机译: 用于芯片在硅表面上定位,固定,接触的自调节键合方法,涉及芯片或芯片载体的纳米结构化表面积,其中针的表面积为辅助纳米孔
机译: 包括性能优化的支持芯片和应力优化的三维存储芯片的键合结构及其制造方法