公开/公告号CN113637200A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 南昌航空大学;
申请/专利号CN202111085033.7
申请日2021-09-16
分类号C08J5/18(20060101);C08L27/16(20060101);C08K3/30(20060101);C08K3/28(20060101);
代理机构36122 南昌市平凡知识产权代理事务所;
代理人张文杰
地址 330063 江西省南昌市丰和南大道696号
入库时间 2023-06-19 13:15:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-15
授权
发明专利权授予
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 异质结二极管,一种制造异质结二极管的方法和一种包括异质结二极管的电子设备
机译: 基于alnico的复合磁体的组成,基于alnico的复合磁体及其制造方法以及使用其的异质结基于alnico的复合磁体