基于x射线的AlGaN层Al组分测定方法

摘要

本发明公开一种基于x射线的AlGaN层Al组分测定方法，包括如下步骤：S1、对GaN的(114)晶面进行XRD的2θ‑ω扫描，计算AlGaN(114)晶面的面间距测量值d测；S2、对AlGaN层中的Al组分x进行赋值，计算不同x值下AlGaN(114)晶面的面间距计算值d计；S3、输出与面间距测量值d测偏差最小的面间距计算值d计及其对应的x值。不需要利用RSM图测定驰豫度的情况下，通过扫描受双轴应力影响较小的(114)晶面的2θ曲线，就能较为准确的测定AlGaN层中Al组分，能够减少测试时间，同时提高测试效率。