一种改善FinFET器件阈值电压适配和交流性能的方法

摘要

本发明提供一种改善FinFET器件阈值电压适配和交流性能的方法，位于源区外延区和漏区外延区之间的栅极结构；覆盖栅极结构的第一层间介质层；对栅极结构平坦化露出栅极顶部；对金属栅和功函数层进行回刻，形成凹槽；沉积覆盖凹槽、栅极结构及第一层间介质层的第一阻挡层；在凹槽中形成氧栓塞，沉积覆盖第一层间介质层、栅极结构及氧栓塞的第二阻挡层；在第二阻挡层上形成第二层间介质层；在源区外延区和漏区外延区分别引出接触线。本发明可以提高器件的交流性能；避免氟进入高K介质层与氧发生反应恶化器件的阈值电压；提高栅极至金属层隔离表现，提高SRAM和逻辑电路的良率；简化了工艺；避免了栓塞中空洞的出现；增加了阻挡效果。