一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT

摘要

本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT。本发明中漏极区域P型GaN层呈台阶状，沿漏极向源级方向呈台阶式减薄。在台阶式P型GaN漏极结构中，各个P型GaN台阶沿漏极到源级方向呈台阶式依次减薄，在正向导通时，较薄的台阶处正向开启电压较小，使得器件开启电压减小。当器件处于反向阻断状态时，通过台阶式P型GaN漏极结构对沟道电场的调制，优化了反向阻断时漏极区域沟道电场分布，提升了器件逆向阻断电压。本发明的有益成果：对比传统的肖特基势垒漏极逆阻型HEMT器件，器件的逆向阻断电压提升，反向耐压时漏极区域沟道电场分布得到优化。