钯覆盖铜接合线、引线接合结构、半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供钯覆盖铜接合线、其接合结构、半导体装置及半导体装置的制造方法，所述钯覆盖铜接合线在第一接合时不产生缩孔，接合可靠性高，即使是在高温、高湿的环境中也能够长时间稳定地维持优异的接合可靠性。一种引线接合结构，其中，接合线是具有铜芯材和Pd层、且含有硫族元素的Pd覆盖铜接合线，相对于铜与Pd与硫族元素的合计，Pd的浓度为1.0质量％～4.0质量％，硫族元素浓度合计为50质量ppm以下，S浓度为5质量ppm～2质量ppm、或Se浓度为5质量ppm～20质量ppm或Te浓度为15质量ppm～50质量ppm以下，在半导体芯片的含有Al的电极与球接合部的接合面附近，具有Pd浓度相对于Al与铜与Pd的合计成为2.0质量％以上的Pd富集接合区域。