公开/公告号CN113629131A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-09
原文格式PDF
申请/专利号CN202010386415.2
申请日2020-05-09
分类号H01L29/06(20060101);H01L21/66(20060101);
代理机构11271 北京安博达知识产权代理有限公司;
代理人徐国文
地址 102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
入库时间 2023-06-19 13:12:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 专利申请号:2020103864152 申请日:20200509
实质审查的生效
机译: 具有场环边缘终端结构和布置在不同场环之间的分离沟槽的半导体器件
机译: 通过将膜深度分布细分为均匀的预选成分区域来沉积成分渐变材料膜,尤其是数字渐变分子束外延或化学气相沉积半导体膜
机译: 沟槽场环结构及其设计方法