机译:多个浮动场有限环终端的CAD优化的改进方法
Dipartimento di Elettronica, Politecnico di Torino, Torino, Italy;
Power semiconductor diodes; semiconductor device modeling;
机译:具有轻掺杂P阱场限制环终端的4H-SiC基VDMOSFET的实验研究
机译:用于4H-SiC高压器件的沟槽式多个浮动限流环终端
机译:多场限环结构优化设计的新方法
机译:通过引入缓冲层来增强多重浮动场限制环终端的鲁棒性
机译:优化多重响应函数和新的多重响应面方法的必要条件。
机译:响应面法优化超声辅助浮式催化剂沉积碳纳米管的合成条件
机译:一种新颖的区域有效浮动场限制环边终止技术