具有低传导损耗的反向传导绝缘栅功率半导体器件

摘要

提供了一种反向传导绝缘栅功率半导体器件，其包括多个有源单位单元(40)和导引二极管单位单元(50)，该导引二极管单位单元包括与第一主电极(21)直接接触并从第一主侧(11)延伸到第一深度(d1)的第二导电型阳极区域(51)。每个有源单位单元(40)包括与第一主电极(21)直接接触的第一导电型第一源极层(41a)、第二导电型基极层(42)以及第一栅极电极(47a)，该第一栅极电极通过第一栅极绝缘层(46a)与第一源极层(41a)和第二导电型基极层(42)分开以形成第一场效应晶体管结构。阳极区域(51)在到垂直于第一主侧(11)的竖直平面上的正交投影中的侧向尺寸(w)等于或小于1μm。在阳极区域(51)的第一侧向侧表面上设置有第一绝缘层(52a)，并且在阳极区域(51)的相反第二侧向侧表面上设置有第二绝缘层(52b)。并且第一绝缘层(52a)与第二绝缘层(52b)之间的距离等于或小于1μm，第一绝缘层(52a)从第一主侧(11)竖直延伸到第二深度(d2)，并且第二绝缘层(52b)从第一主侧(11)竖直延伸至第三深度(d3)，其中，第一深度(d1)小于第二深度(d2)且小于第三深度(d3)。