碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法

摘要

本发明属于半导体材料加工技术领域，公开了一种碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法；具体是先对待测定抛光片的碳面和硅面分别进行边缘倒角处理；分别测量硅面和碳面的倒角边缘，得到硅面和碳面的面幅长度及角度参数，之后分别对硅面和碳面进行抛光，记录抛光时长，再次测量硅面和碳面的面幅长度；并计算硅面和碳面的厚度减少量；通过厚度减少量计算硅面和碳面的抛光速率；本发明可以分别监控硅面及碳面的抛光速率，精确度高，抛光片表面的损伤减小，不增加任何成本和工序，成本低，简单方便，适用于批量生产。