一种基于TGV技术的单刀多掷RF MEMS开关及晶元级封装方法

摘要

本发明涉及一种基于TGV技术的单刀多掷RF MEMS开关，以衬底（1）为基础，应用信号输入端（3）与总信号线（2）之间的电连接，实现信号的输入，再由分别对接于总信号线（2）的各个RF MEMS开关，基于锚点（6），配合驱动电极（9）上电荷积累带动相应悬臂梁（7）的移动，实现各RF MEMS开关所对应分支支路控制信号的输出，实现了单刀多掷控制；整个设计结构具有极低的插入损耗，以及极高的隔离度，并且基于TGV技术，免于打线，封装更简单，尺寸更小，良率更高；相应对此开关还设计了晶元级封装方法，与衬底TGV通孔技术配合使用，获得更高可靠性，并且工艺简单，成本低廉，适用于各种衬底。