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公开/公告号CN113595510A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 华中师范大学;
申请/专利号CN202110842607.4
发明设计人 高超嵩;孙向明;冯万晗;李丹凤;
申请日2021-07-26
分类号H03F1/26(20060101);H03F3/70(20060101);
代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人彭艳君
地址 430079 湖北省武汉市洪山区珞瑜路152号
入库时间 2023-06-19 13:05:40
机译: 输入元件的低温低噪声电荷敏感型前置放大器
机译: 低温低噪声电荷敏感型前置放大器的输入元件
机译: 保护电路例如灵敏的麦克风前置放大器,在其他四个齐纳二极管上方有两个连接到输入级的齐纳二极管,与两个二极管并联布置的电容器以及在四个二极管和电容器之间布置的电阻器
机译:具有大电容输入的高速CMOS低噪声电流模式前置放大器,用于非定向红外数据通信
机译:用于CdTe和CdZnTe X射线探测器的CMOS低噪声开关电荷灵敏前置放大器
机译:一种低噪声,宽带CMOS电荷敏感型前置放大器,用于APD / LSO PET检测器
机译:用于MEMS电容式加速度计读数的低噪声CMOS电荷敏感前置放大器
机译:一种采用0.18微米CMOS技术的PET / CT扫描仪低噪声电荷前置放大器的设计。
机译:用于使用T反馈网络进行傅里叶变换质谱的低噪声单晶体管跨阻前置放大器
机译:利用IEKS方法进行伴随灵敏度分析的同时减小输电网络的面积并去除电容
机译:一种预测电容器频率特性的方法的灵敏度。