法律状态公告日
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法律状态
2022-12-23
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J 1/34 专利申请号:2021106981487 申请公布日:20211029
发明专利申请公布后的视为撤回
机译: 半导体层结构具有超晶格,该超晶格具有一种成分和另一种成分的连接半导体的交替堆叠层,其中堆叠层具有特定浓度的掺杂剂
机译: 通过超晶格具有增加的ESD抗性的基于光电的基于gan的部件及其制造方法
机译: 检测包括核苷酸序列和装置在内的小生物物体表面上分子组的位置和类型的电子干扰方法(57)本发明涉及检测生物物体的结构,可用于研究小型生物物体的表面结构物体(例如大分子)并检测其上放置的分子的位置和类型。一种装置,包括具有在其上的由非导电材料制成的基底的基底,光电阴极和阳极,其中在其之间存在用于研究对象的位置和电子散射体。光电阴极内至少有一个窗口,该光电阴极区域与窗口相邻,该窗口由功函数降低的材料制成。窗口通过至少一个狭缝连接到光电阴极之外的区域,其长度超过其宽度。在窗口和狭缝区域下方以较小的深度布置有冷却电极,其中在电极和缝隙区域下方布置有加速电极。