具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置，其为具有支石墓结构的半导体装置，包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及带黏合剂片的芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片，带黏合剂片的芯片包含第二芯片及设置在第二芯片的一个面上的黏合剂片，支撑片与带黏合剂片的芯片在250℃下的剪切强度为3.2MPa以上。