具有支石墓结构的半导体装置的制造方法、支撑片的制造方法及层叠膜

摘要

本发明的一个方面是一种半导体装置的支石墓结构的形成中所使用的支撑片的制造方法，其包括：(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备：基材膜、压敏胶粘层、及由例如热固性树脂层形成的支撑片形成用膜；以及(B)通过将支撑片形成用膜单片化，而在压敏胶粘层的表面上形成多个支撑片的工序；(B)工序依次包括：将切口形成至支撑片形成用膜的厚度方向的中途的工序；及通过扩展而将冷却状态的支撑片形成用膜单片化的工序。