电荷耦合场效应晶体管嵌入的单片电荷耦合场效应整流器

摘要

本公开的实施例涉及电荷耦合场效应晶体管嵌入的单片电荷耦合场效应整流器。集成电路包括MOSFET器件和单片二极管器件，其中单片二极管器件与MOSFET器件的本体二极管并联电连接。单片二极管器件被配置，使得单片二极管器件的正向压降VfD2小于MOSFET器件的本体二极管的正向压降VfD1。通过控制栅极氧化物厚度、沟道长度和本体掺杂浓度水平，正向压降VfD2是工艺可调谐的。正向压降VfD2的可调谐性有利地允许根据开关速度和效率的要求的集成电路的设计以适合广泛的应用。