一种三栅Ga2O3横向MOSFET功率器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种三栅Ga2O3横向MOSFET功率器件及其制备方法，所述器件包括Ga2O3衬底、Ga2O3外延层、两个P型阱区、P型控制区、n+型源区、沟道区、栅极、源极和漏极，其中，Ga2O3衬底上开设有衬底凹槽，Ga2O3外延层设置在衬底凹槽中；两个P型阱区和P型控制区分别设置在Ga2O3外延层的上表面，且P型控制区设置在两个P型阱区之间，n+型源区和沟道区间隔分布在P型阱区的上表面；栅极包括顶栅和两个侧栅，两个侧栅分别设置在沟道区的两侧，顶栅设置在沟道区的上方，顶栅两端分别与两个侧栅接触；漏极设置于Ga2O3衬底的下表面，源极覆盖于整个器件的上表面。本发明采用重掺杂N型Ga2O3作为衬底，具有较好的热稳定性，可以显著提升器件承受的功率和运行的温度。