一种780nm分布反馈布拉格半导体激光器腔面膜结构

摘要

本发明公开了一种780nm分布反馈布拉格半导体激光器腔面膜结构，包括780nm分布反馈布拉格半导体激光bar条（1）、前腔面膜（2）和后腔面膜（3）。前腔面膜（2）包括第一层膜10.00 nm Si（4）、第二层膜229.88 nm Al2O3（5）、第三层膜64.44 nm TiO2（6）和第四层膜82.59 nm Al2O3（7）；后腔面膜（3）包括第五层膜10.00 nm Si（8）、第六层膜120.71 nm Al2O3（9）、第七层膜57.35 nm Si（10）、第八层膜120.71 nm Al2O3（11）、第九层膜57.35 nm Si（12）、第十层膜120.71 nm Al2O3（13）、第十一层膜57.35 nm Si（14）、第十二层膜120.71 nm Al2O3（15）、第十三层膜57.35 nm Si（16）。