一种基于多层WS2/Si结构的高灵敏度位置探测器

摘要

本发明涉及一种基于多层WS2/Si结构的高灵敏度位置探测器，还涉及其构筑方法，利用原子层沉积的方法，制备了多层WS2/Si结构样品，在侧向光伏研究中，得益于该结构中载流子在范德瓦尔斯力连接的层状结构中的高横向迁移率，该器件具有优异的灵敏度和线性度。同时，该结构具有宽的波段响应的特征，器件对405‑980nm的激光器都有较高的响应。此外器件也表现出很好的响应稳定性。该器件构筑方法简单可控，成本低廉，重复性高，故具有明显的应用价值。