一种IDT/(002)ZnO/SiO_(2)/Si多层结构的声表面波器件

摘要

以IDT/(002)ZnO/SiO_(2)/Si多层结构的声表面波器件为研究对象,通过有限元软件对单对叉指的三维结构进行有限元仿真,得到了不同的ZnO膜厚对SAW器件所激发瑞利波的相速度、机电耦合系数的影响规律,以及SiO_(2)膜厚与SAW器件频率温度系数之间的关系。采用热氧化、射频磁控溅射以及光刻工艺在Si衬底上分别制备SiO_(2)膜、ZnO膜和IDT,制备了三组不同ZnO膜厚的延迟线型SAW器件。通过X射线衍射仪对制备的ZnO薄膜进行检测,结果表明ZnO薄膜具有良好的(002)晶体取向以及良好的结晶质量。采用矢量网络分析仪对所制作SAW器件进行了测试,得到了器件的传输曲线,实验结果与有限元仿真结果具有较好的一致性。