一种金属氧化物氮掺杂方法及金属氧化物薄膜晶体管

摘要

本发明公开了一种金属氧化物氮掺杂方法及金属氧化物薄膜晶体管，其中方法包括：在衬底上沉积一层预设厚度的金属氧化物薄膜；将获得的金属氧化物薄膜置于蒸发容器中，封闭所述蒸发容器，其中所述蒸发容器内还设有第一容器，所述第一容器内装有含氮元素有机物，所述属氧化物薄膜不与含氮元素有机物接触；将所述蒸发容器放入真空恒温环境中进行分子自组装，以在金属氧化物薄膜表面形成含氮的自组装分子层作为钝化层。本发明采用含氮的自组装分子层作为钝化层，提高ITZO TFT的稳定性；同时，含氮的钝化层通过背沟道对本方法制备的金属氧化物薄膜晶体管进行氮掺杂，优化器件在大气环境中的稳定性，可广泛应用于半导体技术。