公开/公告号CN113540251A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江大学杭州国际科创中心;
申请/专利号CN202111081863.2
申请日2021-09-15
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构33289 杭州裕阳联合专利代理有限公司;
代理人田金霞
地址 311200 浙江省杭州市萧山区建设三路733号
入库时间 2023-06-19 12:56:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-15
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L29/78 专利申请号:2021110818632 专利号:ZL2021110818632 合同备案号:X2022330000039 让与人:浙江大学杭州国际科创中心 受让人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 发明名称:一种优化排布的沟槽栅功率MOSFET器件 申请日:20210915 申请公布日:20211022 授权公告日:20211203 许可种类:普通许可 备案日期:20220125
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
机译: 包括功率MOSFET的半导体器件和具有在沟槽中形成的栅电极的外围MOSFET器件
机译: 沟槽栅型VDMOSFET器件,栅绝缘层部分较厚,用于减小栅源电容
机译: 具有长沟道沟槽栅型功率MOSFET的零沟槽栅型功率MOSFET具有