一种基于p-GaN/CsPbBr3/n-ZnO异质结的发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结的发光二极管及制备方法，二极管包括：n‑ZnO纳米棒阵列、CsPbBr3量子点、p‑GaN薄膜和合金电极；制备方法具体为：在硅衬底上生长ZnO纳米棒阵列，将CsPbBr3量子点均匀旋涂在ZnO纳米棒阵列上，然后在CsPbBr3量子点/ZnO阵列复合结构顶部加上GaN薄膜，并分别在n‑ZnO和p‑GaN上制备合金电极，构建p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结，构成完整的器件。本发明构建了p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结发光二极管，发光中心位于375nm和520nm，CsPbBr3量子点的引入抑制了ZnO的表面态，改变了异质结发光二极管的发光颜色，随着注入电流的变化，其发光颜色也发生了改变。