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气相成长装置及用于该气相成长装置的载具

摘要

本发明提供能够使晶圆周边缘部的CVD膜厚均匀的气相成长装置。载具(C)形成为具有载置于基座(112)的上表面的底面(C11)、与晶圆(WF)的背面的外边缘部接触来支承的上表面(C12)、外周侧壁面(C13)、内周侧壁面(C14)的无端的环状,并且前述上表面(C12)的圆周方向上的构造或形状为具有与前述晶圆(WF)的圆周方向上的晶体方位对应的关系的构造或形状,处理前的晶圆以处理前的晶圆的圆周方向上的晶体方位和圆周方向上的构造或形状呈前述对应的关系的方式搭载于载具。

著录项

  • 公开/公告号CN113544319A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胜高股份有限公司;

    申请/专利号CN201980086191.9

  • 发明设计人 和田直之;南出由生;

    申请日2019-11-05

  • 分类号C30B35/00(20060101);C30B25/12(20060101);H01L21/205(20060101);H01L21/673(20060101);C30B29/06(20060101);C23C16/44(20060101);C23C16/458(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张泽洲;陈浩然

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 12:56:12

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