公开/公告号CN113511681A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-19
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN202010273633.5
申请日2020-04-09
分类号C01G39/06(20060101);C01G41/00(20060101);C01B19/04(20060101);C01B19/00(20060101);C01G9/08(20060101);
代理机构11467 北京德崇智捷知识产权代理有限公司;
代理人王欣
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2023-06-19 12:54:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-03
授权
发明专利权授予
机译: 硫族化合物的溅射装置,使用其的硫族化合物的溅射方法,以及使用硫族化合物的溅射法制造相变存储器的方法
机译: 包含vi族元素的氟化元素和vi族元素的催化剂及其在化合物硫存在下用于芳族化合物加氢的用途
机译: 准一维过渡金属三元化合物和准一维过渡金属硫族化物化合物作为电子发射极的应用