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一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法

摘要

本发明涉及一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法,通过第一性原理的计算获取材料的能量损失函数和表面功函数,然后使用蒙特卡罗的模拟方法根据所述能量损失函数和表面功函数对材料内每个电子的每次散射碰撞过程进行跟踪,通过统计所有出射电子便可以获得材料的二次电子产额。本发明对二次电子的计算不过不再需要对实验数据的依赖,而材料相关的参数如果通过实验获得成本高昂,本发明打破了这种对瓶颈,同时并不采用实验测量二次电子发射系数的反推式拟合方法,具有很好的通用型和推广价值。

著录项

  • 公开/公告号CN113517032A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安空间无线电技术研究所;

    申请/专利号CN202110564970.4

  • 申请日2021-05-24

  • 分类号G16C10/00(20190101);G16C60/00(20190101);G06F17/15(20060101);

  • 代理机构11009 中国航天科技专利中心;

  • 代理人庞静

  • 地址 710100 陕西省西安市长安区航天基地东长安街504号

  • 入库时间 2023-06-19 12:54:37

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