公开/公告号CN113517217A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-19
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;
申请/专利号CN202110723557.8
发明设计人 贡禕琪;
申请日2021-06-29
分类号H01L21/762(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人郭四华
地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
入库时间 2023-06-19 12:54:37
机译: 氧化膜的形成方法,改进的氧化膜的形成方法,高品质氧化膜的形成方法以及隧道和栅氧化膜的形成方法
机译: 用于STI的高质量二氧化硅介电膜的形成:HARP II使用不同的基于硅氧烷的前体-远程等离子体增强沉积工艺
机译: 化合物,其制造方法,组成,光学部件形成用组合物,光刻用膜形成用组合物,抗蚀剂组合物,抗蚀剂图案形成方法,放射线敏感性组合物,非晶膜的制造方法,光刻用下层,成膜材料,形成用组合物用于光刻的底层膜,用于光刻的底层膜的制造方法,抗蚀剂图案形成方法,电路图案形成方法和纯化方法