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HARP膜的形成方法

摘要

本发明公开了一种HARP膜的形成方法,包括:步骤一、采用HARP工艺沉积HARP膜。步骤二、对HARP膜进行表面预处理以减少HARP膜表面吸附的电荷。步骤三、对HARP膜进行退火处理。本发明能防止在HARP膜退火处理中形成球形缺陷,从而能提高产品良率。

著录项

  • 公开/公告号CN113517217A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN202110723557.8

  • 发明设计人 贡禕琪;

    申请日2021-06-29

  • 分类号H01L21/762(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭四华

  • 地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2023-06-19 12:54:37

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