公开/公告号CN101528974A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-09-09
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料股份有限公司;
申请/专利号CN200780038465.4
申请日2007-10-11
分类号C23C16/40(20060101);H01L21/316(20060101);C23C16/04(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人陆勍
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 22:36:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-09
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C16/40 授权公告日:20130717 终止日期:20141011 申请日:20071011
专利权的终止
2013-07-17
授权
授权
2012-01-04
著录事项变更 IPC(主分类):C23C16/40 变更前: 变更后: 申请日:20071011
著录事项变更
2009-12-23
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-09-09
公开
公开
机译: 用于STI的高质量二氧化硅介电膜的形成:HARP II使用不同的基于硅氧烷的前体-远程等离子体增强沉积工艺
机译: 用于STI的高质量二氧化硅介电膜的形成:将不同的基于硅氧烷的前体用于HARPII远程等离子体增强沉积工艺
机译: 用于STI的高质量二氧化硅介电膜的形成:将不同的基于硅氧烷的前体用于HARPII远程等离子体增强沉积工艺