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机译:用于超出22 nm节点的SiCH低k帽的新型前体:等离子增强化学气相沉积工艺中硅环戊烷前体的反应以及SiCH膜的结构分析
Taiyo-Nippon Sanso Corporation, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan,Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 163-8656, Japan;
National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan;
Tri Chemical Laboratories Inc., Uenohara, Yamanashi 409-0112, Japan;
Taiyo-Nippon Sanso Corporation, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan;
Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 163-8656, Japan;
机译:用于超出22 nm节点的SiCH低k盖层的异丁基硅烷前驱物:膜结构的低/(-值和高阻隔性能兼容性)分析
机译:用于在SiCH中开发Si-C_2H_4-Si网络的新型前体,可作为超过22 nm节点的低k帽层应用
机译:通过等离子体增强的四(三甲基甲硅烷基甲硅烷基)硅烷前体制备柔性低k电介质SiCOH薄膜的柔性低k电介质SiCOH薄膜
机译:用于SICH低k盖层的异丁基硅烷前体,超过22nm节点:薄膜结构分析,用于脱瓦索的兼容性和高屏障性质
机译:固态材料的分子前体:挥发性无水金属硝酸盐作为单源前体分子,用于化学气相沉积金属氧化物薄膜
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积的超低k SiOC(H)膜的表征
机译:使用三元单源前体通过气溶胶辅助化学气相沉积沉积CuIns2薄膜