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一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法

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本发明公开了一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法。该ZnO基稀磁薄膜，包括基片、位于基片上的稀磁薄膜和反铁磁薄膜；其中，构成稀磁薄膜的材料为Zn

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公开/公告号CN102360710B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-20

原文格式PDF
申请/专利权人清华大学;
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申请/专利号CN201110166520.6
发明设计人潘峰;王钰言;曾飞;陈光;
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申请日2011-06-20
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人关畅
地址 100084 北京市海淀区清华园1号清华大学
入库时间 2022-08-23 09:13:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-03-20

授权

授权
2012-04-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01F 10/32 申请日:20110620

实质审查的生效
2012-02-22

公开

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