一种改善PMOS晶体管短沟道效应的方法

摘要

本发明提供一种改善PMOS晶体管短沟道效应的方法，在基底上形成栅氧化层，在栅氧化层上形成多晶硅层，刻蚀栅氧化层和所述多晶硅层，形成多晶硅栅结构；通过打穿栅氧化层和多晶硅栅结构的方式，将离子注入在所述基底中形成LDD区；在多晶硅栅结构两侧的基底中形成源漏极；进行热处理，使多晶硅栅结构中的离子扩散进入基底中。本发明根据多晶硅层的厚度，选取合适的LDD注入能量，使得LDD打穿多晶硅及氧化层，进去硅衬底，增加源漏极注入后的热过程，提高温度或增加时间，使得多晶硅中的硼更容易通过扩散进入沟道；同时减薄栅氧化层厚度，使得多晶硅中的硼更容易通过扩散进入沟道。