公开/公告号CN113497113A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-12
原文格式PDF
申请/专利权人 成都蓉矽半导体有限公司;
申请/专利号CN202010252144.1
申请日2020-04-01
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/739(20060101);
代理机构11017 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人韩登营
地址 610000 四川省成都市高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号
入库时间 2023-06-19 12:51:29
机译: 控制功率半导体模块(例如,绝缘栅双极晶体管(IGBT))的电流导通状态,产生电压降,该电压降提供给控制以产生栅极电流
机译: 具有接近理想击穿电压能力和超低导通电阻的碳化硅开关器件
机译: JFET区域改善了导通电压下降特性的绝缘栅双极晶体管