一种反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片管芯结构及其制作方法

摘要

本文提供了一种反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片管芯结构及其制作方法，包括由下至上依次设置的N面电极、硅衬底、TiAu过渡金属层、Sn键合粘附层、Ag镜反射层、ITO过渡层、电流阻挡层、ITO小圆点欧姆接触层、P型GaAs层、P型AlGaInP层、MQW量子阱层、N型AlGaInP层、N型GaAs层、重掺GaAs；重掺GaAs上设置有扩展电极；N型GaAs层上还设置有主电极。通过该方法可以制作出高亮度、高光电转换效率的管芯；使用ITO小圆点工艺来完成表面欧姆接触点的制作，本发明设计的工艺方法简单易操作，不需要引入特殊设备，利用较低的成本，解决了提高亮度的问题，该工艺方法适用于所有GaAs基红光LED芯片的制作工艺。