GaAs基AlGaInP发光二级管亮度提升研究

摘要

文章采用VEECO型MOCVD外延了GaAs基AlGaInP发光二级管,通过外延中各层结构优化来提升亮度。研究表明,采用三个复合中心结构的DBR、最佳NP厚度比、应变结构的MQW、最佳GaP厚度,能更大幅度提升LED的亮度。制备的外延片制作成6mil*6mil尺寸的芯片,采用20mA测得轴向光强为120.6mcd,这与常规结构10mil*10mil的亮度一致。