首页> 中国专利> 一种爆炸场MEMS压阻式压力传感器

一种爆炸场MEMS压阻式压力传感器

摘要

本发明公开了一种爆炸场MEMS压阻式压力传感器,包括了两个尺寸不同的敏感膜片,其中较小硅应变膜可以设计为灵敏度较小,量程较大的结构,具有较强的过载能力,满足冲击波压力峰值的测量;除此之外,其中较大硅应变膜的上方设置带有通孔的硅盖帽,盖帽与相应硅应变膜形成了空腔,通过合理设计气孔和空腔的体积可以滤除具有高频特征的冲击波压力信号,使具有低频、零频的准静态压力信号作用于相应硅应变膜;并且,两个敏感膜片的背面均设计有岛,当压力超过量程时,岛会与玻璃基底接触,具有一定的抗过载能力,进一步保护了具有高灵敏度、小量程的第一硅应变膜。

著录项

  • 公开/公告号CN113483926A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安近代化学研究所;

    申请/专利号CN202110798999.9

  • 申请日2021-07-15

  • 分类号G01L1/22(20060101);G01L9/04(20060101);G01L9/00(20060101);G01L19/06(20060101);

  • 代理机构61216 西安恒泰知识产权代理事务所;

  • 代理人史玫

  • 地址 710065 陕西省西安市雁塔区丈八东路168号

  • 入库时间 2023-06-19 12:49:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-23

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号