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公开/公告号CN113485520A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN202110911362.6
发明设计人 沈洁;王倩;李喜;陈后鹏;宋志棠;
申请日2021-08-10
分类号G05F3/26(20060101);
代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人孙健
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2023-06-19 12:49:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-24
授权
发明专利权授予
机译: 用于高速微控制器的片上NMOS无电容LDO
机译: 用于低压差(LDO)稳压器中增强瞬态响应的半导体结构
机译: 用于低压降(LDO)电压调节器的瞬态响应增强的半导体结构
机译:一种设计大电流范围,具有增强型LDO的基于MOS电容器的开关电容器DC-DC转换器的系统方法
机译:具有推挽复合功率晶体管的1V以下瞬态增强型无输出电容器LDO稳压器
机译:具有高频PSR的无电容LDO,适用于各种片上电容性负载
机译:适用于片上系统应用的无电容低压降(LDO)稳压器,具有改进的瞬态响应
机译:用于砷化镓异质结双极晶体管(HBT)射频集成电路(RFIC)的低负载电容片上静电放电(ESD)保护电路。
机译:片上集成的增强型电极沉积通过控制表面粗糙化的微型超级电容器
机译:利用电流模式跨导放大器和转换速率增强技术改进瞬态响应电容器低丢弃(LDO)调节器
机译:用CFRp(碳纤维增强塑料)修补补片测量轴向加载的裂纹金属板的平面外位移