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相对于金属表面在电介质表面上选择性沉积氧化硅

摘要

提供了相对于金属表面在电介质表面上选择性沉积氧化硅膜的方法。可相对于电介质表面选择性地钝化衬底的金属表面,例如用聚酰亚胺层或硫醇SAM。通过使电介质表面与金属催化剂和包含硅烷醇的硅前体接触,而相对于钝化的金属表面在电介质表面上选择性沉积氧化硅。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 专利申请号:2021103390428 申请日:20210330

    实质审查的生效

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