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公开/公告号CN113471059A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 ASM IP私人控股有限公司;
申请/专利号CN202110339042.8
发明设计人 A.伊利贝里;G.A.弗尼;邓少任;D.恰佩;E.托伊斯;M.托米宁;M.吉文斯;
申请日2021-03-30
分类号H01L21/02(20060101);C23C16/04(20060101);C23C16/40(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人焦玉恒
地址 荷兰阿尔梅勒
入库时间 2023-06-19 12:46:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 专利申请号:2021103390428 申请日:20210330
实质审查的生效
机译: 抑制沉积物混合有氧气和/或硫的液态碳氢化合物的热降解所导致的产品金属表面上的胶质,包括在金属表面上沉积氢化碳化硅表面层
机译: 相对于介电表面的金属或金属表面上的选择性沉积
机译: 相对于介电表面在金属或金属表面上的选择性沉积
机译:高k电介质应用在金属表面上的二氧化钛薄膜的电沉积
机译:在沉积在金属表面上的电介质膜的边缘引发微等离子体放电
机译:高k电介质在氮化硅表面上的原子层沉积
机译:使用电子回旋共振等离子体源沉积的栅极质量的氮化硅和氧氮化物电介质的特性
机译:第一部分:氧的电子磁共振研究 r n自由基基体的运动和相互作用 r n聚合物以及表面上的 r n第二部分:二氧化硅表面上的 r n自由基的电子自旋共振表征
机译:钼在电化学中的主导作用在金属表面上沉积生物大分子
机译:用石英晶体微稳定测量从地热盐水沉积在金属表面上的二氧化硅变化的测量。
机译:使用脉冲激光沉积在(001)金属表面上外延生长氧化物薄膜