具有提高的集成度的三维闪存及其制造方法

摘要

公开了一种具有提高的集成度的三维闪存及其制造方法。根据一个实施方式，一种三维闪存可以包括：至少一个垂直串，在衬底上在一个方向上延伸，并包括在所述一个方向上延伸的沟道层和在所述一个方向上延伸从而围绕沟道层的电荷存储层；多个电极层，被堆叠从而垂直地连接到所述至少一个垂直串；以及嵌入在衬底中的源极线。