Patent Issued for NAND Flash Memory Array with Cut-Off Gate Line and Methods for Operating and Fabricating the Same

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Patent Issued for NAND Flash Memory Array with Cut-Off Gate Line and Methods for Operating and Fabricating the Same

机译：具有截止栅极线的NAND闪存阵列及其操作和制造方法的专利授权

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2013 MAR 27 (VerticalNews) -- By a News Reporter-Staff News Editor at Journal of Engineering -- A patent by the inventors Park, Byung-Gook (Seoul, KR); Cho, Seong Jae (Seoul, KR), filed on June 28, 2011, was cleared and issued on March 12, 2013, according to news reporting originating from Alexandria, Virginia, by VerticalNews correspondents.

机译：2013年3月27日（VerticalNews）-由《工程杂志》的新闻记者-工作人员新闻编辑-发明人Park，Byung-Gook（韩国首尔）的专利；根据垂直新闻通讯社发自弗吉尼亚州亚历山大港的新闻报道，2011年6月28日提交的Cho Seong Jae（KR汉城）已于2013年3月12日获得批准并发布。

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来源
《Journal of Engineering》 |2013年第13期|1-4|共4页
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
Silicon; Seoul National University Industry Foundation.;

机译：硅;首尔国立大学产业基金会。;

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